半導(dǎo)體材料突破 “自主芯”目標(biāo)更進(jìn)一步

2020-12-30 10:53:25

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打破技術(shù)壟斷,“自主芯”目標(biāo)更進(jìn)一步

在芯片制造所需的眾多半導(dǎo)體材料中,制備難度最高、最為關(guān)鍵的當(dāng)屬高端光刻膠了,其包括EUV光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠等幾種。雖然我國(guó)在低端光刻膠領(lǐng)域有不錯(cuò)的表現(xiàn),但在高端領(lǐng)域自給率嚴(yán)重不足,其中,截至2019年國(guó)內(nèi)ArF光刻膠則完全依賴進(jìn)口。

由于技術(shù)壁壘和客戶壁壘高,全球高端光刻膠市場(chǎng)早已長(zhǎng)期被日本、美國(guó)等企業(yè)壟斷,而近年來中美貿(mào)易問題帶來的經(jīng)濟(jì)制裁,導(dǎo)致我國(guó)許多高新技術(shù)企業(yè)在芯片制造領(lǐng)域一下就被“卡了脖子”,造出“自主芯”成為破局之路。

“ArF光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國(guó)家“02專項(xiàng)”的一個(gè)重點(diǎn)攻關(guān)項(xiàng)目,于2017年開始研發(fā),至今已近四年。此次,南大光電突破投產(chǎn)的為193nm的ArF光刻膠,可作為當(dāng)前AI芯片、5G芯片、大容量存儲(chǔ)器和云計(jì)算芯片等最為核心的原材料,被喻為半導(dǎo)體工業(yè)的“血液”。

本次產(chǎn)品認(rèn)證的通過意味著長(zhǎng)期被國(guó)外壟斷的ArF光刻膠終于邁出了國(guó)產(chǎn)化的第一步,不僅具備經(jīng)濟(jì)價(jià)值,更具備了保障產(chǎn)業(yè)鏈安全的戰(zhàn)略價(jià)值,我國(guó)距離擁有“自主芯”的目標(biāo)又近了一步!

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重磅政策利好,國(guó)產(chǎn)光刻膠未來可期

事實(shí)上,近年來,我國(guó)出臺(tái)了多項(xiàng)相關(guān)政策,為光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了良好的政策支持。另一方面,國(guó)家集成電路大基金二期布局規(guī)劃也明確表示支持包括光刻膠在內(nèi)的國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈。在國(guó)家政策及大基金的支持下,不僅是南大光電,眾多國(guó)內(nèi)光刻膠企業(yè)相繼開啟,國(guó)產(chǎn)光刻膠研發(fā)和量產(chǎn)或?qū)⑻崴佟?/p>

但需要看到的是,雖然目前國(guó)產(chǎn)光刻膠取得技術(shù)突破,但其關(guān)鍵原材料——如用于前道制程的酚醛樹脂,以及很多中間體材料,仍然受到日美競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的遏制;同時(shí),決定光刻性能的諸多關(guān)鍵數(shù)據(jù)也只能靠自身不斷摸索與積累,這是近乎于從無到有的挑戰(zhàn)。

當(dāng)然,我們需要給這個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展多一點(diǎn)耐心和信心,相信隨著產(chǎn)業(yè)鏈、創(chuàng)新鏈、金融鏈的融合,中國(guó)的強(qiáng)核之路也一定會(huì)走得更遠(yuǎn)。

標(biāo)簽: 半導(dǎo)體材料

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