3月12日，據(jù)韓聯(lián)社報道，韓國半導體廠商SK海力士公司收購英特爾NAND閃存部門收購案現(xiàn)后獲得了美國監(jiān)管機構聯(lián)邦貿易委員會(FTC)和美國外國在美投資委員會(CFIUS)的批準。距離成功收購又近了一步，接下來還需要獲得中國、英國等監(jiān)管機構的批準。
本次交易是SK海力士和英特爾再韓國時間10月20日共同宣布簽署收購協(xié)議的。根據(jù)協(xié)議約定，SK海力士將以90億美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務。本次收購包括英特爾NANDSSD業(yè)務、NAND部件及晶圓業(yè)務，以及其在中國大連的NAND閃存制造工廠。英特爾將保留其特有的英特爾傲騰業(yè)務。
在兩家公司獲得政府的相關許可后，SK海力士將通過支付第一期70億美元對價從英特爾收購NANDSSD業(yè)務(包括NANDSSD相關知識產權和員工)以及大連工廠。此后，預計在2025年3月份最終交割時，SK海力士將支付20億美元余款從英特爾收購其余相關資產，包括NAND閃存晶圓的生產及設計相關的知識產權、研發(fā)人員以及大連工廠的員工。根據(jù)協(xié)議，英特爾將繼續(xù)在大連閃存制造工廠制造NAND晶圓，并保留制造和設計NAND閃存晶圓相關的知識產權(IP)，直至最終交割日。
技術互補，合并后SK海力士將排名上升至第二位
從產能方面來看，目前SK海力士的NANDFlash投片產能全都在韓國;英特爾的NANDFlash產能則基本都在中國大連。英特爾是所有NANDFlash廠商當中最著力推廣采用QLC架構的公司。
從技術方面來看，英特爾仍堅持以FloatingGate為3DNANDFlash的主要生產結構，不同于SK海力士等其他廠商所采用的ChargeTrap結構，在蝕刻的技術難度上有相當差異。
如果SK海力士能夠取得英特爾的3DNANDFlash產能，那它在企業(yè)級SSD領域的競爭力將大幅提升。接下來，只需要在這兩個不同的產品架構鐘取得平衡，就能帶來最大效益。
預計SK海力士在取得英特爾產能以后，其NANDFlash市占將達20%以上，超越原先排名第二的鎧俠(Kioxia)，排名僅次于龍頭三星。需要特別留意的是，此次收購案僅限于3DNANDFlash相關技術與產能，并不包含近期受到市場非常關注的新興存儲器技術3D-XPoint。
英特爾大連工廠的介紹
英特爾大連工廠是英特爾3DNANDSSD的主要生產基地，它是英特爾自1992年在愛爾蘭建立F10晶圓廠后，新建的第一座晶圓廠，也是英特爾在中國乃至亞洲的第一個晶圓制造工廠(除美國本土外，英特爾只在愛爾蘭和以色列有晶圓廠)，總投資25億美元，總建筑面積為16.3萬平米，其中潔凈廠房面積達1.5萬平方米。
據(jù)悉，大連工廠2010年開始生產，2015年之前主要從事65nm產品的生產，到2015年則開始轉型生產3DNAND存儲產品，在一年之后就實現(xiàn)了量產，并于2017年建立了新的68A工廠。
資料顯示，2015年英特爾宣布將投資55億美元(這也是英特爾迄今在中國最大的單筆投資)，將大連工廠升級為英特爾“非易失性存儲”制造工廠，本次投資項目將使大連廠成為在英特爾的非易失性存儲器產品集成電路全球制造網絡中使用300毫米晶圓中目前最先進技術的生產中心之一。
目前，大連工廠內部全部采用了英特爾自主設計的MES系統(tǒng)，自動化生產的程度非常高。整個車間內僅有幾名工作人員，而且大部分時間，工作人員只需要在自己的座位上遠程監(jiān)控機器人生產即可，整個車間已經基本上可以實現(xiàn)自動化操作。
另據(jù)新華社報道，SK海力士在今年1月29日，與大連市人民政府、大連金普新區(qū)管委會通過視頻方式，正式簽署合作諒解備忘錄，共同推進SK海力士對英特爾大連芯片廠的收購以及后續(xù)在大連的新投資項目。
根據(jù)合作諒解備忘錄，SK海力士收購英特爾大連芯片廠后將繼續(xù)進行投資與建設，大連市人民政府將為大連芯片廠的順利交接與過渡提供必要支持。此外，SK海力士將與大連市人民政府在更廣泛的領域開展合作，包括建立起大連信息技術產業(yè)創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)和產業(yè)集群等。
結語
SK海力士收購英特爾的NANDFlash存儲業(yè)務，不僅會給韓國商界版圖帶來變化，也會改變全球存儲產業(yè)格局。通過收購后，SK海力士將會在DRAM和NANDFlash領域雙雙上升為全球第二大供應商。
標簽： 收購案
