8月2日，國產(chǎn)閃存制造商長江存儲(chǔ)在2022年閃存峰會(huì)(FMS)上宣布，正式推出了基于晶棧?3.0(Xtacking?3.0)技術(shù)的第四代TLC三維閃存X3-9070。
消息顯示，該3D NAND閃存堆疊層數(shù)或已達(dá)到了業(yè)界領(lǐng)先的232層。
據(jù)介紹，X3-9070與上一代產(chǎn)品相比，擁有更高的存儲(chǔ)密度，更快的I/O速度，并采用6-plane設(shè)計(jì)，性能提升的同時(shí)功耗更低，進(jìn)一步釋放系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品潛能。
具體來說，X3-9070具有以下技術(shù)特點(diǎn)：
性能：
X3-9070實(shí)現(xiàn)了高達(dá)2400MT/s的I/O傳輸速率，符合ONFI 5.0規(guī)范;相較于長江存儲(chǔ)上一代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了50%的性能提升;
密度：
得益于晶棧3.0的架構(gòu)創(chuàng)新，X3-9070成為了長江存儲(chǔ)歷史上密度最高的閃存顆粒產(chǎn)品，能夠在更小的單顆芯片中實(shí)現(xiàn)1Tb的存儲(chǔ)容量;
提升系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品體驗(yàn)：
得益于創(chuàng)新的 6-plane設(shè)計(jì)(這意味著可以允許die可以進(jìn)行更多的并行處理，可以帶來更出色的隨機(jī)讀取吞吐量)，X3-9070相比傳統(tǒng)4-plane，性能提升50%以上，同時(shí)功耗降低25%，能效比顯著提升，可為終端用戶帶來更具吸引力的總體擁有成本(TCO)。
另據(jù)長江存儲(chǔ)介紹，X3-9070憑借出色的性能、更佳的耐用性以及高質(zhì)量可靠性，通過了美國電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)(JEDEC)定義的多項(xiàng)測試標(biāo)準(zhǔn)。
雖然長江存儲(chǔ)并未公開X3-9070具體的堆疊層數(shù)，但是根據(jù)供應(yīng)鏈的消息顯示，其堆疊層數(shù)已經(jīng)達(dá)到了業(yè)界領(lǐng)先的232層。
值得注意的是，今年7月底，美光才剛剛正式宣布量產(chǎn)業(yè)界首個(gè)232層堆疊的3D NAND芯片，這也是當(dāng)時(shí)全球首個(gè)量產(chǎn)的超過200層的3D NAND閃存芯片，并且也是全球首款六平面(6-Plane) 設(shè)計(jì)的3D NAND閃存芯片。
時(shí)隔僅數(shù)天的時(shí)間，長江存儲(chǔ)也順利推出232層堆疊的X3-9070，就成功追上業(yè)界頂尖水平，確實(shí)是非常厲害。
那么，為何成立于2016年的長江存儲(chǔ)，僅用了6年時(shí)間就追趕上了全球領(lǐng)先的技術(shù)水平?長江存儲(chǔ)原創(chuàng)的Xtacking技術(shù)功可謂是不可沒!
資料顯示，長江存儲(chǔ)的Xtacking技術(shù)，是在一片晶圓上獨(dú)立加工負(fù)責(zé)數(shù)據(jù)I/O及記憶單元操作的外圍電路，而存儲(chǔ)單元?jiǎng)t是在另一片晶圓上被獨(dú)立加工。
當(dāng)兩片晶圓各自完工后，Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將二者鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。
根據(jù)長江存儲(chǔ)此前公布的數(shù)據(jù)顯示，在傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，這也使得芯片的存儲(chǔ)密度大幅降低。
隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路所占據(jù)的芯片面積或?qū)⑦_(dá)到50%以上，Xtacking技術(shù)則可將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。
此外，在I/O速度方面，目前NAND閃存主要是Intel/索尼/SK海力士/群聯(lián)/西數(shù)/美光主推的ONFi。最新的2021年公布的ONFI 5.0標(biāo)準(zhǔn)的I/O接口速度最大為2.4Gbps。
而長江存儲(chǔ)2019年量產(chǎn)的Xtacking 1.0技術(shù)就已經(jīng)將I/O接口的速度大幅提升到3Gbps，實(shí)現(xiàn)與DRAM DDR4的I/O速度相當(dāng)。
長江存儲(chǔ)表示，Xtacking技術(shù)不僅提高了I/O接口速度，而且還保證了3D NAND多層堆疊可達(dá)到更高容量，還可使得產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間縮短三個(gè)月，生產(chǎn)周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產(chǎn)品的從開發(fā)到上市周期。
根據(jù)Tech Insights在去年10月拆解和測試長江存儲(chǔ)512Gb 128層Xtacking 2.0 TLC芯片的分析報(bào)告顯示，該芯片的die尺寸為60.42mm2，單位密度增加到了8.48 Gb/mm2， 比上一代的256Gb 64層的Xtacking 1.0 die 高出了92% 。讀取速度達(dá)到了7500 MB/s，寫入速度也高達(dá)5500 MB/s。
如今，長江存儲(chǔ)的Xtacking技術(shù)已經(jīng)進(jìn)一步進(jìn)化到了Xtacking 3.0，相比Xtacking 2.0自然也就帶來了更大的提升。
標(biāo)簽： 閃存堆疊層數(shù) 長江存儲(chǔ)推 四代X3-9070閃存 更高的存儲(chǔ)密度
