碳化硅性能優(yōu)勢(shì)突出，市場(chǎng)規(guī)?？焖俪砷L(zhǎng)
碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求，當(dāng)前碳化硅襯底已應(yīng)用于射頻器件及功率器件，隨著下游需求爆發(fā)，2022-2026 年SiC 器件的市場(chǎng)規(guī)模將從43 億美元提升到89 億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為20%，對(duì)應(yīng)的SIC 襯底市場(chǎng)規(guī)模講從7 億美元增長(zhǎng)到17 億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為25%。
需求：下游產(chǎn)業(yè)鏈應(yīng)用爆發(fā)，SiC 市場(chǎng)需求紅利釋放我們把SiC 器件發(fā)展分為三個(gè)發(fā)展階段：2019-2021 年為初期，2022-2023 年為拐點(diǎn)期，2024-2026 年為爆發(fā)期。SiC 隨著在新能源汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、5G 基站、工業(yè)和能源等應(yīng)用領(lǐng)域展開，需求迎來(lái)爆發(fā)增長(zhǎng)，其中，能源汽車是SIC 器件應(yīng)用增長(zhǎng)最快的市場(chǎng)，預(yù)計(jì)2022-2026 年的市場(chǎng)規(guī)模從16 億美元到46 億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為 30%。
供給：短期產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)芟抟r底產(chǎn)能，長(zhǎng)期產(chǎn)能擴(kuò)張帶來(lái)價(jià)格下降碳化硅市場(chǎng)產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測(cè)試四個(gè)部分，分別占市場(chǎng)總成本的50%、25%、20%、5%，由于具備晶體生長(zhǎng)過(guò)程繁瑣，晶圓切割困難等特點(diǎn)，碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質(zhì)量襯底的應(yīng)用主要集中于WolfSpeed、II-VI、ROHM 三大供應(yīng)商，CR3 市場(chǎng)占有率達(dá)到80%以上，國(guó)內(nèi)廠商為代表的襯底廠商的產(chǎn)品良率、品質(zhì)和生產(chǎn)效率還有一定差距，短期看中高功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上游主要還受襯底CR3 控制，另外隨著CR3 逐步提高材料自用比例提升，產(chǎn)能的提升的同時(shí)市場(chǎng)供給有限，整體供給偏緊狀態(tài)。根據(jù)WolfSpeed 數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)2022 年和2024 年的產(chǎn)能分別達(dá)到167K 平方英尺到242 平方英尺，折算6寸對(duì)應(yīng)的85 萬(wàn)片和123 萬(wàn)片，通過(guò)測(cè)算預(yù)計(jì)全球2022 年和2024 年市場(chǎng)銷量折合6 英寸分別約為170 萬(wàn)片至250 萬(wàn)片。
碳化硅國(guó)產(chǎn)突破正加速，迎來(lái)中長(zhǎng)期投資機(jī)會(huì)
碳化硅市場(chǎng)海外以IDM 為主要運(yùn)作模式，國(guó)內(nèi)襯底廠商為天岳先進(jìn)(絕緣型襯底為主)、天科合達(dá)(導(dǎo)電型襯底為主)、中電科(爍科)、露笑科技、晶盛機(jī)電；外延片方面：瀚天天成、東莞天域、中電科等均已完成了3-6 英寸碳化硅外延的研發(fā)和生產(chǎn)；器件方面：斯達(dá)半導(dǎo)體、士蘭微推出SiC MOSFET 功率器件和模塊；晶圓代工方面，X-Fab 為最大代工廠，并為80-90%的無(wú)晶圓廠碳化硅廠商提供服務(wù)；漢磊和積塔大幅增加資本開支用以擴(kuò)展SiC 產(chǎn)能；IDM 方面：三安光電具備全產(chǎn)業(yè)整合生產(chǎn)能力(襯底/外延/器件/封測(cè))。
風(fēng)險(xiǎn)提示：碳化硅及器件良率不及預(yù)期；下游需求不及預(yù)期；
（文章來(lái)源：中信建投證券）
標(biāo)簽： 半導(dǎo)體材料 第三代半導(dǎo)體
