本報訊記者許子皓報道：近日，有報道稱，為了發(fā)展新一代功率半導(dǎo)體，韓國30家本土半導(dǎo)體企業(yè)以及大學(xué)和研究所組建碳化硅產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，以應(yīng)對急速增長的碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鎵(Ga2O3)等寬禁帶半導(dǎo)體所引領(lǐng)的新型功率半導(dǎo)體市場，從而形成韓國本土碳化硅生態(tài)圈。
據(jù)悉，聯(lián)盟內(nèi)的30家韓國功率半導(dǎo)體企業(yè)將共同參與材料、零部件、設(shè)備的開發(fā)，培育與碳化硅半導(dǎo)體相關(guān)的材料、零部件和設(shè)備企業(yè)的發(fā)展。其中，LX Semicon將負(fù)責(zé)研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體，SK siltron則負(fù)責(zé)碳化硅襯底，Hana Materials和STI將研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體零件和設(shè)備技術(shù)。
嘉泉大學(xué)、光云大學(xué)和國民大學(xué)將支持碳化硅半導(dǎo)體研發(fā)基礎(chǔ)設(shè)施，國立納米材料研究所和韓國陶瓷工程技術(shù)研究所將提供技術(shù)支持。
賽迪顧問集成電路中心高級咨詢顧問池憲念介紹，硅材料已經(jīng)受技術(shù)瓶頸和研制成本劇增等因素影響，正逼近極限。碳化硅由于其化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好、硬度高等特性，被稱為“理想器件”，也是當(dāng)前寬禁帶半導(dǎo)體中應(yīng)用場景最為廣范的材料。目前碳化硅器件在EV/HEV上應(yīng)用主要是功率控制單元(PCU)、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等方面。全球各國都在爭相研究，進度突飛猛進，其中在半導(dǎo)體領(lǐng)域，在材料和元器件占據(jù)優(yōu)勢的日本更是下足了功夫。
除了日本企業(yè)以外，Cree、英飛凌、意法半導(dǎo)體、安森美等國際知名半導(dǎo)體企業(yè)也在全球范圍內(nèi)布局寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，增長勢頭迅猛。目前寬禁帶功率半導(dǎo)體市場主要由德國、美國和日本的半導(dǎo)體公司主導(dǎo)。韓國多家企業(yè)此時組建碳化硅聯(lián)盟，目的是為了搶占本土寬禁帶功率半導(dǎo)體市場，以免受制于人。
（文章來源：中國電子報）
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