很遺憾，如果按照當前的實際情況出發(fā)，無論多少年之后我國都或?qū)]法完成一臺全球領(lǐng)先光刻機的打造(但愿這只是我個人悲觀的看法)。并不是時間上的問題，而是核心技術(shù)無法獲取的痛楚!芯片領(lǐng)域是美國打壓我國的主要手段，對于核心技術(shù)并不會有一絲一毫的放松，這將進入一個死循環(huán)模式(只要我國在光刻機領(lǐng)域有所突破，就會遭到美國不計成本的打壓，從而使得光刻機的發(fā)展再次陷入低谷)。
即便是全球領(lǐng)先的ASML公司，也沒有辦法憑借一己之力打造出頂端光刻機，而是采取了合作共贏的方式來實現(xiàn)。ASML公司背后有英特爾、臺積電、三星等股東的支持，生產(chǎn)的光刻機不僅有臺積電、三星接手，也會受到股東的投資協(xié)助。之所以ASML公司能夠超越尼康、佳能在高端光刻機領(lǐng)域站穩(wěn)腳跟，主要是其加入了美國的 EUV LLC 組織，從而獲得了光刻領(lǐng)域的核心技術(shù)。ASML公司光刻機鏡頭來自德國蔡司，光源是美國的Cymer公司(現(xiàn)被收購)，如果沒有美國的相關(guān)幫助，很難想象ASML公司能夠得到今天的發(fā)展。
我國當前光刻機的生產(chǎn)公司為上海微電子裝備公司，該公司當前能夠生產(chǎn)最先進的光刻機設(shè)備是SSX600系列，能夠?qū)崿F(xiàn)90nm工藝制程的芯片制造。那么，當前頂級光刻機產(chǎn)品的工藝制程是多少呢?就以華為最新的麒麟9000芯片為例，由臺積電為其代工，使用的制造工藝為5nm。由此可見，我國光刻機與頂端光刻機之間存在的差距，現(xiàn)在僅具備中低端光刻機生產(chǎn)的能力。暫且不論生產(chǎn)頂端光刻機中涉及到的技術(shù)難題，就連構(gòu)成光刻機的高端零部件，在美國的打壓限制之下，或?qū)⒍紵o法正常購得。
美國對于我國芯片領(lǐng)域打壓目的十分明顯，主要針對于高端領(lǐng)域，中低端幾乎采取睜一只眼閉一只眼的態(tài)度。上海微電子裝備公司生產(chǎn)的光刻機暫且并不在美國的打壓范圍之列，美國實體名單也并未出現(xiàn)過這家公司。那么，美國當前打壓區(qū)間究竟在哪里呢?美國限制臺積電為華為代工，阻止中芯國際EUV光刻機到貨便能夠看出，主要針對的是7nm、5nm工藝制程的高端芯片。中芯國際當前能夠?qū)崿F(xiàn)14nm芯片的代工生產(chǎn)，下限區(qū)間值應(yīng)該在此范圍。
在光刻機領(lǐng)域，美國已經(jīng)領(lǐng)先太多，想要在此跑道上超越并不現(xiàn)實!更換跑道，重新起跑也不失為一種較佳的策略。放棄光刻機領(lǐng)域，研發(fā)其他方式的芯片生產(chǎn)技術(shù)，這或?qū)⑹欠闯绹臋C會。當然，這同樣需要有大量的技術(shù)力量積累，也非一朝一夕之功，否則將會弄巧成拙。例如美國5G落后，就想跳過5G直接研發(fā)6G，最終也只能成為笑柄。
如果執(zhí)著于光刻機產(chǎn)品，您覺得我國需要多少年才能夠打造一臺全球先進的光刻機呢?歡迎大家留言討論。
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